2023年3月30日，《麻省理工科技评论》在全球青年科技领袖峰会上正式揭晓的“35岁以下科技创新35人”中国入选名单公布，我院2008级本科生校友虞绍良入选。

虞绍良2012年本科毕业于新黄金城集团。本科期间，他曾参加教育部主办的首届全国大学生物理实验竞赛，并夺得三等奖1项。本科毕业后，赴浙江大学光电学院直博，博士毕业后到MIT从事博士后研究，博后期间师从MIT华人教授Juejun Hu。2021年6月，回国加入之江实验室，在面向光计算、光互连等领域开展集成光子学相关研究。

虞绍良创造性地提出了在集成光学芯片上引入三维微型自由曲面，以进行片上波前调控的全新研究思路，突破了因片上传统二维周期性结构维度缺失而带来的光场调控能力受限瓶颈。

从理论模型、设计方法、制备工艺等多方面开展研究，拓展了片上光学结构的空间维度，增加了对片上光场的调控自由度。他提出光学芯片的新型通用接口方法，实现了超宽波段的低损耗光学互连耦合方案，构建了波导集成的片上光镊系统。

虞绍良基于前述研究思路，在光子芯片上集成微型自由曲面耦合器，实现了光纤-芯片之间的高效互连。自由曲面耦合器实测插入损耗低0.5dB，工作带宽大于300nm，覆盖了O到U波段的超大带宽波分复用需求。

他在实现超低插入损耗的同时，将光学带宽提高了一个数量级，核心指标均为目前最佳值（0.5dB vs. 3dB, 300nm vs 40nm）。

该方案作为一种通用型的光学芯片接口，具有很强的普适性，能应用于多种光互连场景。不仅可以实现光纤-光芯片之间的高效耦合，还可以用于光芯片-光芯片之间的混合集成。

同时，还可以基于该方案实现光电子与微电子芯片之间的共封装，构建光电融合的芯片架构，解决目前信息传输与处理中的带宽和功耗问题。该方案获得了广泛关注，多个产业界和学术界团队已经就方案开展了合作。

虞绍良提出并实现了一种新型的片上光镊系统，通过集成在波导端面的三维自由曲面对波导出射的多个光束进行波前整形，实现了在芯片上对波导光场的三维空间聚焦，产生了三维梯度光场，形成三维光力势阱。首次在芯片上用光实现了对单个和多个微小颗粒的可控悬浮，并演示了灵敏度高达10-12N的弱力测量。

该研究解决了片上集成光场三维空间聚焦难题，使在芯片上对光场进行复杂操控成为可能，为片上原子钟、片上位移和弱力的精密测量等领域的研究提供了全新的思路，在基础研究领域具有重要的应用前景。

《麻省理工科技评论》自1999年起每年都会从世界范围内的新兴科技和创新应用中对35岁以下、且对未来科技发展产生深远影响的创新领军人物进行遴选，最终形成一份全球创新青年英雄榜——“35岁以下科技创新35人”（Innovators Under 35，简称TR35），涵盖但不限于生物技术、能源材料、人工智能、信息技术、智能制造等新兴技术领域。

历经过去五届的淬炼，加上全球70余位顶级科学和技术领袖近一年的严格评审，2022年TR35中国入选名单3月30日在全球青年科技领袖峰会上正式揭晓。35位中国青年才俊横跨计算机、生物和生命科学、化学、物理、材料、半导体、量子计算等各大领域，用自己的才智和热情，引领着新兴科技创新的未来。